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大陸研發出EUV的光源技術，為國產EUV曝光機製造帶來一線曙光。（示意圖/達志影像/shutterstock）
哈爾濱工業大學（哈工大）近日宣布，已成功研發出13.5奈米極紫外光（EUV）光源技術，打破此領域由美國企業壟斷的局面，也為大陸的國產EUV曝光機製造點亮了一線曙光。此消息一出，對於掌握EUV曝光機主導地位的ASML（艾司摩爾）來說始料未及，該公司先前曾強調，EUV機台的開發仰賴超過40個國家、數百家供應商技術的匯集。
外媒引述Northcape Capital投資組合經理Theo Maas指出，中國大陸尚未取得技術性突破，其半導體技術仍落後台灣10年。
中芯國際雖在汽車產業和其他工業應用的成熟製程取得進展，但在7奈米以下先進製程晶片仍遠落後晶圓代工巨頭數年。
不過，新加坡畢盛資產管理（APS Asset Management）創辦人黃國輝對中芯國際抱持樂觀態度，認為其具備本土優勢，有機會與台積電在全球競爭，一旦中國大陸突破國產EUV曝光機技術，超越台積電的目標將不再遙不可及。
陸媒網易報導，哈工大攻克13.5奈米EUV光源技術，為大陸在該領域跨出關鍵一步。值得注意的是，哈工大採用粒子加速產生紫光，與ASML採用的美國光源技術和德國徠卡的透鏡技術不同，展現更具突破性的創新。
除了EUV光源技術，EUV曝光機的生產製造還包括物鏡系統、雙晶工作台和控制系統等關鍵技術。目前，哈工大已掌握7項曝光機核心技術，取得豐碩成果。
中芯國際和華為等大陸企業已實現7奈米晶片生產，但要突破 3奈米等更先進製程，仍需仰賴EUV曝光機。哈工大的光源技術突破，雖僅是EUV設備自主化的第一步，未來有望為大陸的國產晶片發展注入新的希望。